flash memory (flash RAM) ; 플래시메모리

플래시메모리 (때로 '플래시 '으로도 불린다)는 지속적으로 전원이 공급되는 비휘발성 메모리로서 블록단위로 내용을 지울 수도 있고, 다시 프로그램 할 수도 있다. 플래시메모리는 EEPROM의 변형 중 하나인데, 바이트 레벨에서 지울 수도 있고 수정할 수도 있는 EEPROM과는 달리 블록 단위로 수정되기 때문에 속도가 빠르다. 플래시메모리는 종종 PC바이오스와 같은 제어코드를 저장하는데 사용된다. 바이오스를 수정해야할 필요가 있을 때, 플래시메모리는 바이트 단위가 아닌 블록 단위로 기록되므로 수정이 쉽다. 한편, 플래시메모리가 일반 램처럼 유용하지는 못한 이유는, 램은 블록이 아닌 바이트 단위의 주소 지정이 가능해야하기 때문이다.

플래시메모리는 메모리 들의 한 부분이 섬광(flash)처럼 단 한번의 동작으로 지워질 수 있도록 마이크로칩이 조직화되었기 때문에 이런 이름을 얻었다. 삭제는 Fowler-Nordheim 터널효과에 의해 일어나는데, 전자들이 얇은 유전체(誘電體) 물질을 관통하여 각 메모리 셀과 결합되어 있는 부유 게이트로부터 전하를 제거한다. 인텔은 각 메모리 셀 내에 두 비트씩 저장시킴으로써 가격상승 요인 없이도 메모리의 용량을 두 배로 늘릴 수 있는 플래시메모리의 한 형태를 제공한다.

플래시메모리는 디지털 휴대전화, 디지털 카메라, 랜스위치, 노트북 컴퓨터의 PC 카드, 디지털 셋톱박스, 내장 컨트롤러 등과 같은 다양한 장치들에 사용된다.


이 정보는 1999년 10월 31일에 수정되었습니다.
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